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SiR862DP
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
70
10
56
42
2 8
V GS = 10 V thru 3 V
8
6
4
T C = 125 °C
T C = - 55 °C
14
0
V GS = 2 V
2
0
T C = 25 °C
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
0
1
2
3
4
5
0.0030
0.002 8
0.0026
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Output Characteristics
V GS = 4.5 V
4600
36 8 0
2760
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
Transfer Characteristics
C iss
0.0024
1 8 40
C oss
0.0022
0.0020
V GS = 10 V
920
0
C rss
0
14
2 8
42
56
70
0
5
10
15
20
25
I D - Drain C u rrent (A)
On-Resistance vs. Drain Current and Gate Voltage
10
1.6
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Capacitance
8
6
I D = 10 A
V DS = 5 V
1.4
1.2
I D = 10 A
V GS = 10 V
V GS = 4.5 V
4
2
0
V DS = 10 V
V DS = 15 V
1.0
0. 8
0.6
0
13
26
39
52
65
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
Q g - TotalGateCharge (nC)
Gate Charge
Document Number: 65672
S10-0041-Rev. A, 11-Jan-10
T J - J u nctionTemperat u re (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
www.vishay.com
3
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